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Patents

 

    ※ 등록 특허

#

등록일

특허명

출원인(출원기관)

출원국

등록번호

164

2018.12.20

메모리 소자

한양대학교 산학협력단

한국

10-1933268

163

2018.12.06

수소화물 기상증착법(HVPE)을 이용한 질화갈륨 기판의 제조 방법

한양대학교 산학협력단

한국

10-1928645

162

2018.12.06

2단자 수직형 1T-디램 및 그 제조 방법

한양대학교 산학협력단

한국

10-1928629

161

2018.10.26

복수의 이온 주입을 이용한 질화갈륨 기판의 제조 방법

한양대학교 산학협력단

한국

10-1914361

160

2018.10.16

SLURRY FOR POLISHING PHASE-CHANGE MATERIALS AND METHOD FOR PRODUCING A PHASE-CHANGE DEVICE USING SAME

한양대학교 산학협력단

미국

10,103,331

159

2018.09.10

시냅스 소자 및 그 구동 방법

한양대학교 산학협력단

한국

10-1898668

158

2018.09.07

뉴런 소자 및 그 구동 방법

한양대학교 산학협력단

한국

10-1898666

157

2018.08.14

코어-쉘 구조의 나노 입자를 이용한 질화갈륨 기판의 제조 방법

한양대학교 산학협력단

한국

10-1890520

156

2018.03.21

IMAGE SENSOR AND OPERATING METHOD THEREOF메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

대만

I 619238

155

2018.03.20

SOLAR CELL AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

한양대학교 산학협력단

중국

 ZL201480066817.7

154

2017.11.28

CBRAM DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

한양대학교 산학협력단

미국

9,831,426

153

2017.11.21

METHOD FOR PREPARING SUBSTRATE USING GERMANIUM CONDENSATION PROCESS AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME

한양대학교 산학협력단

미국

9,825,151

152

2017.09.05

NONVOLATILE MEMORY DEVICE

한양대학교 산학협력단

미국

9,755,169

151

2017.07.18

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR DRIVING SAME

한양대학교 산학협력단

미국

9,711,569

150

2017.07.05

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1756883

149

2017.03.24

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1721618

148

2017.02.21

NONVOLATILE MEMORY DEVICE

한양대학교 산학협력단

대만

I 571971

147

2017.02.03

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1705125

146

2017.01.04

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1698532

145

2016.09.23

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1661275

144

2016.08.02

태양 전지 및 그 제조 방법

한양대학교 산학협력단

한국

10-1646727

143

2016.06.29

메모리 소자

한양대학교 산학협력단

한국

10-1636492

142

2016.03.15

MULTI-SELECTIVE POLISHING SLURRY COMPOSITION AND A SEMICONDUCTOR ELEMENT PRODUCTION METHOD USING THE SAME

한양대학교 산학협력단

미국

9,287,132

141

2016.01.04

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1583783

140

2015.08.27

메모리 소자 (Memory device)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1549625

139

2015.07.22

FLEXIBLE ELECTRO-OPTICAL APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME(가요성 전기 광학 장치 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

유럽

1751789

138

2015.07.13

메모리 소자

한양대학교 산학협력단

한국

10-1537715

137

2015.05.13

게르마늄 응축 공정을 잉요한 기판 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 소자의 제조 방법

한양대학교 산학협력단

한국

10-1521555

136

2015.03.18

CBRAM 소자 및 그 제조 방법

한양대학교 산학협력단

한국

10-1505495

135

2015.03.18

무 커패시터 메모리 소자

한양대학교 산학협력단

한국

10-1505494

134

2015.02.01

LUMINESCENT DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

한양대학교 산학협력단

대만

I 472262

133

2015.01.16

비휘발성 메모리 소자 (Nonvolatile memory device)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1485507

132

2015.01.08

비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 (NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1482723

131

2014.11.27

이종접합 양자점 실리콘 태양전지(Silicon Solar-cell Implemented with core/shell quantum dot)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1468539

130

2014.11.24

싸이클로펜타디싸이오펜 기반의 중합체 및 이를 포함하는 유기 광전자 소자 {Cyclopentadithiophene-based polymers and organic optoelectronic device comprising the polymers} - 새로운 전도성 유기고분자의 합성

한양대학교 산학협력단

한국

10-1466716

129

2014.11.04

비휘발성 메모리 소자(Nonvolatile memory device) - Rectified 1R memory cell

한양대학교 산학협력단

한국

10-1460165

128

2014.10.14

무 커패시터 메모리 소자(CAPACITOR-LESS MEMORY DEVICE)

한양대학교 산학협력단

미국

8,860,109

127

2014.08.18

도너+억셉터 물질을 포함하는 유기고분자메모리 (NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1433273

126

2014.08.11

DISPLAY AND METHOD OF DRIVING THE SAME (표시장치 및 그 구동 방법)

한양대학교 산학협력단

대만

I 449461

125

2014.07.11

무 캐패시터 메모리 소자 및 그 제조 방법(Capacitor-less memory device and method of manufacturing the same)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1420708

124

2014.07.11

전도성 고분자를 포함하는 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 {Non-Volatile memory comprising conductive polymer and fabrication method thereof} -새로운 전도성 유기고분자를 포함하는 유기 메모리 소자

한양대학교 산학협력단

한국

10-1420720

123

2014.05.12

상변화 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변화 소자 제조 방법 (Slurry for polishing phase change material and method for patterning polishing phase change material using the same)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1396232

122

2014.04.22

유기 CMOS 이미지 센서와 그 구동 방법(Organic CMOS Image Sensor Structure and Operation)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1389790

121

2014.03.14

무 커패시터 메모리 소자(CAPACITOR-LESS MEMORY DEVICE)

한양대학교 산학협력단

일본

5496184

120

2013.12.11

무 커패시터 메모리 소자 (CAP-LESS MEMORY DEVICE)

한양대학교 산학협력단

대만

 I 419327

119

2013.12.10

상변환 물질 연마용 슬러리 및 이를 이용한 상변환 물질의 패터닝 방법 (SLURRY FOR POLISHING PHASE CHANGEABLE MATERIAL AND METHOD FOR PATTERNING POLISHING PHASE CHAGEABLE MATERIAL USING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1341875

118

2013.11.22

태양전지 및 그 제조방법 (Solar cell and method of manufacturing the same)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1334222

117

2013.08.27

BENZOBIS (THIADIAZOLE)-BASED ALTERNATING COPOLYMER AND PREPARATION THEREOF(벤조비스(티아디아졸) 기반의 교대공중합체와 이의 제조방법)

한양대학교 산학협력단

미국

8,519,087

116

2013.08.21

METHOD OF DRIVING DISPLAY PANEL (표시장치의 구동방법)

한양대학교 산학협력단

대만

I 406226

115

2013.07.08

멀티 선택비를 갖는 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조방법 (Multi-selective polishing slurry composition and method for fabricating semiconductor device using the same)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1285948-0000

114

2013.05.14

디스플레이 패널의 구동방법(METHOD OF DRIVING DISPLAY PANEL)

한양대학교 산학협력단

미국

8,441,472 B2

113

2013.04.19

LUMINESCENCE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME (발광 소자, 그 제조 방법 및 이를 구비하는 표시 장치)

한양대학교 산학협력단

일본

5247797

112

2012.12.03

절연막 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조방법(Insulating layer polishing slurry composition and method for fabricating semiconductor device using the same)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1210125-0000

111

2012.11.20

LUMINESCENCE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME (발광 소자 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

미국

8,315,080

110

2012.11.05

투명하고 휘어지는 실리콘 기판 제조 방법 및 그에 따라 제조된 실리콘 웨이퍼 (METHOD OF TRANSPARENCY AND FLEXIBLE SILICON AND SILICON WAFER FABRICATED BY THE SAME)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1200120-0000

109

2012.07.31

Conductive organic non-volatile memory device with nanocrystals embedded in an amorphous barrier layer

한양대학교 산학협력단

미국

8,233,313

108

2012.06.25

폴리 실리콘 대비 실리콘 산화물에 대한 식각 선택비가 향상된 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 (Polishing slurry composition having improved etch selectivity of silicon oxide to poly silicon and method for fabricating semiconductor device using the same)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1161482-0000

107

2012.03.30

FLEXIBLE ELECTRO-OPTICAL APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME(가요성 전기 광학 장치 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

일본

4959552

106

2011.11.22

양면 수광 유기태양전지 (Dual-side light absorption organic solar cell)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1087903-0000

105

2011.11.22

근접 게터링 능력을 가진 나노 에스오아이 웨이퍼의 제조방법 및 그에 따라 제조된 나노 에스오아이 웨이퍼 (METHOD OF FABRICATING NANO-SOI WAFER HAVING PROXIMITY GETTERING ABILITY AND NANO-SOI WAFER FABRICATED BY THE SAME)

한양대학교 산학협력단

한국

10-1087905-0000

104

2011.11.22

CMP SLURRY, PREPARATION METHOD THEREOF AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE USING THE SAME (CMP용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판의 연마 방법)

한양대학교 산학협력단

주식회사 케이씨텍

미국

8,062,547

103

2011.11.04

연마용 슬러리 (SLURRY FOR POLISHING)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

한국

10-1082620-0000

102

2011.09.09

태양 전지 및 그 제조 방법(Solar cell and the manufacturing method thereof) -2개 이상의 도너물질을 포함하는 태양전지 및 그 제조방법

한양대학교 산학협력단

한국

10-1065798-0000

101

2011.09.02

FLEXIBLE SINGLE-CRYSTAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME (가요성 단결정 필름 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

일본

4814873

100

2011.06.21

SLURRY FOR CMP AND METHOD OF FABRICATING THE SAME AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE (CMP용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판의 연마 방법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

대만

I 343944

99

2010.11.16

SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING CAPABLE OF COMPENSATING NANOTOPOGRAPHY EFFECT AND METHOD FOR PLANARIZING SURFACE OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAME

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

학교법인 한양학원

미국

7,833,908

98

2010.11.10

발광 소자 및 그 제조 방법 (LUMINESCENCE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

한국

10-0994677-0000

97

2010.09.01

SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, METHOD FOR PLANARIATION OF SURFACE OF SEMICONDUCTOR ELEMENT USING THE SAME, AND METHOD FOR CONTROLLING SELECTION RATIO OF SLURRY COMPOSITION  (화학기계적 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화 방법 및 슬러리 조성물의 선택비)

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

학교법인 한양학원

중국

ZL200380107825.3

96

2010.05.14

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND ITS MANUFACTURING METHOD(반도체 기판 및 그의 제조방법)

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

학교법인 한양학원

일본

4509488

95

2010.04.21

LAMINATED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND PROCESS FORPRODUCING THE SAME (접합 반도체 기판 및 그 제조방법)

주식회사 사무코

학교법인 한양학원

중국

ZL20040015389.1

94

2009.11.06

디스플레이 패널의 구동방법 (METHOD OF DRIVING DISPLAY PANEL)

한양대학교 산학협력단

한국

10-0926687-0000

93

2009.10.06

표시장치 및 그 구동 방법 (DISPLAY AND METHOD OF DRIVING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

한국

10-0921506-0000

92

2009.09.22

FLEXIBLE SINGLE-CRYSTAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME (가요성 단결정 필름 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

미국

7,592,239 B2

91

2009.09.22

FLEXIBLE ELECTRO-OPTICAL APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME (가요성 전기광학 장치 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

미국

7,592,239 B2

90

2009.04.22

FLEXIBLE SINGLE-CRYSTAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME (가요성 단결정 필름 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

중국

ZL200480043169.X

89

2009.04.22

FLEXIBLE ELECTRO-OPTICAL APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME(가요성 전기 광학 장치 및 그 제조 방법)

한양대학교 산학협력단

중국

ZL200480043122.3

88

2009.02.17

BONDED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE MANUFACTURING METHOD THEREOF

주식회사 사무코

한양대학교 산학협력단

미국

7,491,342 B2

87

2008.12.30

POLISHING SLURRY, METHOD OF PRODUCING SAME, AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE (CMP용 슬러리 및 그의 제조법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

미국

7,470,295 B2

86

2008.11.04

전도성 고분자 유기물내 나노크리스탈층이 장착된 비휘발성 메모리소자 및 이의 제조방법 (NON-VOLATILE MEMORY FABRICATED WITH EMBEDDED NANO-CRYSTALS IN CONDUCTIVE POLYMER AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

삼성전자 주식회사

한국

10-0868096-0000

85

2008.08.26

전도성 고분자내 나노크리스탈이 장착된 유기 비휘발성메모리 (NON-VOLATILE MEMORY WITH CONDUCTING POLYMER ENBEDDED BY NANO-CRYSTALS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

삼성전자 주식회사

한국

10-0855559-0000

84

2008.05.21

MANUFACTURING METHOD OF NANO SOI WAFER AND NANO SOI WAFER MANUFACTURED THEREBY (나노 에스오아이 웨이퍼의 제조방법 및 그에 따라 제조된 나노 에스오아이 웨이퍼)

한양대학교 산학협력단

중국

100389477

83

2008.04.29

SLURRY FOR CMP AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE USING SAME (연마용 슬러리 및 기판 연마 방법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

미국

7,364,600 B2

82

2008.03.04

METHOD OF FABRICATING NANO SOI WAFER AND NANO SOI WAFER FABRICATED BY THE SAME

한양대학교 산학협력단

주식회사 실트론

미국

7,338,882 B2

81

2008.02.05

연마 입자, 이를 이용한 연마 슬러리 및 그 제조 방법 (POLISHING GRAIN AND POLISHING SLURRY USING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

주식회사 케이씨텍

한국

10-0803729-0000

80

2007.10.17

유기 EL 소자 및 그 제조 방법 (ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

한국

10-0769586-0000

79

2007.10.12

유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 (ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

한국

10-0768506-0000

78

2007.10.12

반도체 기판 및 이의 제조 방법 (SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING OF THE SAME)

한양대학교 산학협력단

한국

10-0768507-0000

77

2007.08.16

접합 반도체 기판 및 그 제조방법 (LAMINATED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND PROCESS FORPRODUCING THE SAME)

주식회사 사무코

학교법인 한양학원

한국

10-0751265-0000

76

2007.06.21

SLURRY FOR CMP AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE USING SAME (연마용 슬러리 및 기판 연마 방법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

대만

I 283008

75

2007.04.27

에스오아이 웨이퍼의 제조 방법 (METHOD OF MANUFACTURING SOI WAFER)

한양대학교 산학협력단

한국

10-0714822-0000

74

2007.02.28

유기 EL 디스플레이 및 그 제조 방법 (ORGANIC ELECTRO-LUMINESCENCE DISPLAY AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

한국

10-0691310-0000

73

2007.02.28

에스오아이 웨이퍼의 제조방법 및 그에 따라 제조된 에스오아이 웨이퍼 (METHOD OF FABRICATING SOI WAFER AND SOI WAFER FABRICATED BY THE SAME)

한양대학교 산학협력단

주식회사 실트론

한국

 10-0691311-0000

72

2007.02.28

에스오아이 웨이퍼 (SOI WAFER)

한양대학교 산학협력단

주식회사 실트론

한국

10-0691309-0000

71

2007.02.20

SOI STRUCTURE HAVING A SiGe LAYER INTERPOSED BETWEEN THE SILICON AND THE INSULATOR

SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION

박재근

미국

7,180,138 B2

70

2007.02.10

POLISHING SLURRY, METHOD OF PRODUCING SAME, AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE (연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

대만

I 273632

69

2007.01.25

스트레인드 실리콘층을 포함하는 반도체 웨이퍼, 그의 제조 방법 및 그를 이용한 반도체 소자 (SEMICONDUCTOR WAFER HAVING STRAINED SILICON LAYER, METHOD OF FABRICATING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

주식회사 실트론

한국

10-0676827-0000

68

2006.12.28

화학기계적 연마용 세리아 슬러리 및 그 제조 방법 (CERIA SLURRY FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND ITS FABRICATION METHOD)

학교법인 한양학원

주식회사 케이씨텍

한국

10-0665300-0000

67

2006.12.26

연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법 (SLURRY FOR POLISHING AND METHOD OF MANUFACTURING THESAME AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATES)

학교법인 한양학원

주식회사 케이씨텍

한국

10-0663905-0000

66

2006.11.30

비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법 (NON-VOLATILE MEMORY DEVICE WITH QUANTUM DOT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

한국

10-0652134-0000

65

2006.11.23

안정된 다층 양자점을 가지는 유기 비휘발성 메모리 소자 및 이의 제조 방법 (ORGANIC NON-VOLATILE MEMORY FABRICATED BY MULTI-LAYER OF QUANTUM DOTS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

한국

10-0652135-0000

64

2006.11.09

CMP용 슬러리 및 그의 제조방법 (SLURRY FOR CMP AND METHODS OF FABRICATING THE SAME)

학교법인 한양학원

주식회사 케이씨텍

한국

10-0646775-0000

63

2006.10.25

CMP용 슬러리와 이의 제조 방법 및 기판의 연마 방법 (SLURRY FOR CMP AND METHOD OF FABRICATING THE SAME AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATE)

주식회사 케이씨텍

한양대학교 산학협력단

한국

10-0641348-0000

62

2006.10.18

연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법 (SLURRY FOR POLISHING AND MEHOD OF MANUFACTURING THESAME AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATES)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

한국

10-0638317-0000

61

2006.10.16

화학기계적 연마용 세리아 슬러리 및 그 제조 방법 (CERIA SLURRY FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING AND ITS FABRICATION METHOD)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

한국

10-0637400-0000

60

2006.10.16

연마 입자, 연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 (ABRASIVE PARTICLES, SLURRY FOR POLISHING AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

한국

10-0637403-0000

59

2006.09.27

집속 이온빔을 이용한 개구 및 마이크로 렌즈 시스템 제조방법, 그에 따라 제조된 마이크로 렌즈 시스템 (METHOD OF FABRICATING APERTURE AND MICRO-LENS SYSTEM BY FOCUSED ION BEAM AND MICRO-LENS SYSTEM FABRICATED BY THE SAME)

한양대학교 산학협력단

한국

10-0631417-0000

58

2006.08.17

연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 및 기판 연마 방법 (SLURRY FOR POLISHING AND MEHOD OF MANUFACTURING THESAME AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATES)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

한국

10-0613836-0000

57

2006.07.04

연마용 슬러리 및 기판 연마 방법 (SLURRY FOR POLISHING AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATES)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

한국

10-0599329-0000

56

2006.07.04

연마용 슬러리 및 기판 연마 방법 (SLURRY FOR POLISHING AND METHOD OF POLISHING SUBSTRATES)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

한국

10-0599328-0000

55

2006.07.04

CMP용 슬러리 및 그의 제조법 (SLURRY FOR CMP AND METHODS OF FABRICATING THE SAME)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

한국

10-0599327-0000

54

2006.07.04

CMP용 고성능 슬러리 및 그를 이용한 기판 연마 방법 (SLURRY FOR CMP AND METHODS OF POLISHING SUBSTRATESUSING THE SAME)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

한국

10-0599330-0000

53

2006.05.31

ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING FOR SILICON WAFERS, SILICON WAFERS FABRICATED THEREBY AND CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS (아르곤/암모니아 급속 열적 어닐링 공정을 포함한 실리콘 웨이퍼의 제조 방법, 그에 따라 제조된 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러)

삼성전자 주식회사

싱가폴

118139

52

2006.05.22

연마용 슬러리 및 이의 제조 방법 (SLURRY FOR POLISHING AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

한국

10-0584007-0000

51

2006.05.18

가요성 단결정 필름 및 그 제조 방법 (FLEXIBLE FILM WITH SINGLE CRYSTAL AND METHOD OFMANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

한국

10-0583429-0000

50

2006.05.03

화학기계적 연마용 슬러리 조성물, 이를 이용한반도체소자의 표면 평탄화 방법 및 슬러리 조성물의선택비 제어방법 (SLURRY COMPOSITION FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING, METHOD OF PLANARIZING SURFACE OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME AND METHOD OF CONTROLLING SELECTIVITY OF SLURRY COMPOSITION)

학교법인 한양학원

주식회사 사무코

한국

10-0578596-0000

49

2006.05.03

ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING FOR SILICON WAFERS, SILICON WAFERS AND SILICON WAFERS FABRICATED THEREBY (아르곤/암모니아 급속 열적 어닐링 공정을 포함한 실리콘 웨이퍼의 제조 방법, 그에 따라 제조된 실리콘 웨이퍼 및 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러)

삼성전자 주식회사

중국

ZL02106772.4

48

2006.04.10

기판 접착 장치 (BONDING APPARATUS FOR SUBSTRATES)

한양대학교 산학협력단

주식회사 실트론

한국

10-0571431-0000

47

2006.04.05

나노토포그라피 효과를 보상할 수 있는 화학기계적 연마용슬러리 조성물 및 이를 이용한 반도체소자의 표면 평탄화방법 (Slurry composition for chemical mechanical polishingcapable of compensating nanotopography effect andmethod of planarizing surface of semiconductor deviceusing the same)

한양대학교 산학협력단

주식회사 사무코

한국

10-0570122-0000

46

2004.04.03

가요성 전기 광학 장치 및 그 제조 방법 (FLEXIBLE ELECTRO-OPTICAL DEVICE AND METHOD OFMANUFACTURING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

한국

10-0569202-0000

45

2006.03.11

SEMI-PURE MONOCRYSTALLINE SILICON WAFERS, PURE MONOCRYSTALLINE SILICON WAFERS AND A CZOCHRALSKI PULLER (핫존로에서의 인상속도 프로파일을 조절하여 단결정 실리콘 잉곳 및 웨이퍼를 제조하는 방법, 그에 따라 제조된 잉곳 및 웨이퍼)

삼성전자 주식회사

대만

I 251039

44

2006.01.20

단결정 가요성 필름 및 가요성 전기 광학 장치의 제조방법, 이를 제조하는 장치 (METHOD FOR FABRICATING FLEXIBLE SINGLE-CRYSTAL FILM AND FLEXIBLE ELECTRO-OPTICAL DEVICE, APPERATUS FORFABRICATING THE SAME)

한양대학교 산학협력단

한국

10-0547237-0000

43

2005.12.23

CMP용 세리아 연마제 및 그 제조 방법 (CERIA ABRASIVES FOR CMP AND METHODS OF FABRICATING THE SAME)

학교법인 한양학원

주식회사 케이씨텍

한국

10-0539983-0000

42

2005.08.24

나노 에스오아이 웨이퍼의 제조방법 및 그에 따라 제조된 나노 에스오아이 웨이퍼 (METHOD OF FABRICATING NANO SOI WAFER AND NANO SOI WAFER FABRICATED BY THE SAME)

한양대학교 산학협력단

한국

10-0511656-0000

41

2005.04.26

METHOD OF FABRICATING NANO SOI WAFER AND NANO SOI WAFER FABRICATED BY THE SAME

박재근

주식회사 실트론

미국

6,884,694 B2

40

2005.04.21

단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러 (CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS)

삼성전자 주식회사

한국

10-0486311-0000

39

2005.01.27

자기장을 이용한 초크랄스키 풀러 및 이를 이용한 단결정잉곳 성장방법 (CZOCHRALSKI PULLER USING MAGNETIC FIELD AND METHOD OF GROWING SINGLE CRYSTAL INGOT USING THE SAME)

학교법인 한양학원

한국

10-0470231-0000

38

2004.11.23

CZOCHRALSKI PULLERS INCLUDING HEAT SHIELD HOUSINGS HAVING SLOPING TOP AND BOTTOM

삼성전자 주식회사

미국

6,821,344 B2

37

2004.10.22

아르곤/암모니아 급속 열적 어닐링 공정을 포함한 실리콘 웨이퍼의 제조방법 (METHOD OF FABRICATING SILICON WAFERS INCLUDING ARGON/AMMINIA RAPID THERMAL ANNEALING PROCESS)

삼성전자 주식회사

한국

10-0455400-0000

36

2004.09.20

아르곤/암모니아 급속 열적 어닐링 공정을 포함한 실리콘 웨이퍼의 제조방법, 그에 따라 제조된 실리콘 웨이퍼 (METHOD OF FABRICATING SILICON WAFERS INCLUDING ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING PROCESS, SILICON WAFERS FABRICATED THEREBY)

삼성전자 주식회사

한국

10-0450676-0000

35

2004.08.24

ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING FOR SILICON WAFERS

삼성전자 주식회사

미국

6,780,238 B2

34

2004.01.30

CZOCHRALSKI PULLERS AND PULLING METHOD FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS BY CONTROLLING TEMPERATURE GRADIENTS AT THE CENTER AND EDGE OF AN INGOT-MELT INTERFACE (잉곳-용융물 경계의 중앙 및 가장자리에서의 온도구배의 조절에 의한 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키풀러, 상기 초크랄스키 풀러용 열차단제)

삼성전자 주식회사

대만

186716

33

2004.01.26

직경이 50-100㎚인 미세 산화세륨 입자의 제조방법 (METHOD FOR PREPARATION OF CERIUM OXIDE NANOPARTICLES HAVING 50-100㎚ IN DIAMETER)

학교법인 한양학원

주식회사 케이씨텍

한국

10-0417530-0000

32

2004.01.26

글리코 써멀법에 의한 나노 크기 세리아 분말의 제조방법 (SYNTHESIS OF NANO SIZE CERIUM OXIDE BY GLYCOTHERMAL PROCESSING)

주식회사 케이씨텍

학교법인 한양학원

한국

10-0417529-0000

31

2004.01.13

CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS, INCLUDING HEAT SHIELD HAVING SLOPED PORTIONS

삼성전자 주식회사

미국

6,676,753 B2

30

2003.05.20

제어된 결함 분포를 갖는 실리콘 웨이퍼 및 그의 제조공정 (SILICON WAFER HAVING CONTROLLED DISTRIBUTION OF DEFECTS, PROCESS FOR THE PREPARATION OF THE SAME)

삼성전자 주식회사

한국

10-0385961-0000

29

2003.03.18

제어된 결함 분포를 갖는 실리콘 웨이퍼, 그의 제조공정및 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러 (SILICON WAFERS HAVING CONTROLLED DISTRIBUTION OF DEFECTS, PROCESS FOR THE PREPARATION OF THE SAME AND CZOCHRALSKI PULLER FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOT)

삼성전자 주식회사

한국

10-0378184-0000

28

2003.01.07

SILICON WAFERS HAVING CONTROLLED DISTRIBUTION OF DEFECTS AND SLIP

삼성전자 주식회사

미국

6,503,594 B2

27

2002.12.11

ARGON/AMMONIA RAPID THERMAL ANNEALING FOR A SILICON WAFER, SILICON WAFERS FABRICATED THEREBY AND CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS

삼성전자 주식회사

대만

168752

26

2002.11.26

SILICON WAFERS HAVING CONTROLLED DISTRIBUTION OF DEFECTS, AND METHODS OF PREPARING THE SAME

삼성전자 주식회사

미국

6,485,807 B1

25

2002.10.29

SEMI-PURE AND PURE MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS AND WAFERS

삼성전자 주식회사

미국

6,472,040 B1

24

2002.09.01

SILICON WAFERS HAVING CONTROLLED DISTRIBUTION OF DEFECTS, METHODS OF PREPARING THE SAME, AND CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS

삼성전자 주식회사

대만

162795

23

2002.06.25

INSULATING-CONTAINING RING-SHAPED HEAT SHIELDS AND SUPPORT MEMBERS FOR CZOCHRALSKI PULLERS

삼성전자 주식회사

미국

6,409,833 B2

22

2002.04.16

웨이퍼의 제조방법 (METHOD FOR MANUFACTURING WAFER)

삼성전자 주식회사

한국

10-0334576-0000

21

2002.03.25

잉곳-용융물 경계의 중앙 및 가장자리에서의 온도구배의 조절에 의한 단결정 실리콘 잉곳의 제조를 위한 초크랄스키 풀러, 상기 초크랄스키 풀러용 열차단체 및 상기 초크랄스키 풀러의 개량방법 (CZOCHRALSKI PULLERS AND PULLING METHODS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS BY CONTROLLING TEMPERATURE GRADIENTS AT THE CENTER AND EDGE OF AN INGOT-MELT INTERFACE)

삼성전자 주식회사

한국

10-0331552-0000

20

2001.10.19

ANALYZATION OF DEFECT OF WAFER

삼성전자 주식회사

일본

3241296

19

2001.08.27

웨이퍼의 제조방법 (METHOD FOR MANUFACTURING WAFER)

삼성전자 주식회사

한국

10-0308183-0000

18

2001.06.26

INSULATING-CONTAINING RING-SHAPED HEAT SHIELDS FOR CZOCHRALSKI PULLERS

삼성전자 주식회사

미국

6,251,184 B1

17

2001.04.28

웨이퍼의 포장방법 (METHOD FOR PACKAGING WAFER)

삼성전자 주식회사

한국

10-0295429-0000

16

2001.04.24

핫존로에서의 인상속도 프로파일을 조절하여 단결정 실리콘 잉곳 및 웨이퍼를 제조하는 방법, 그에 따라 제조된 잉곳 및 웨이퍼 (PRODUCTION OF SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT AND WAFER BY ADJUSTING PULLING UP SPEED PROFILE IN HOT ZONE FURNACE AND INGOT AND WAFER PRODUCED BY THE SAME)

삼성전자 주식회사

한국

10-0295040-0000

15

2001.01.09

WAFER PACKAGING METHOD

삼성전자 주식회사

미국

6,170,235 B1

14

2000.11.14

CZOCHRALSKI PULLERS FOR MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS BY CONTROLLING TEMPERATURE AT THE CENTER AND EDGE OF AN INGOT-MELT INTERFACE

삼성전자 주식회사

미국

6,146,459 B1

13

2000.04.04

METHODS OF MANUFACTURING MONOCRYSTALLINE SILICON INGOTS AND WAFERS BY CONTROLLING PULL RATE PROFILES IN A HOT ZONE FURNACE

삼성전자 주식회사

미국

6,045,610 B1

12

2000.01.17

반도체장치 제조용 베어 웨이퍼 분석방법 (ANALYSING METHOD OF BARE WAFER)

삼성전자 주식회사

한국

10-0252214-0000

11

2000.01.13

반도체용 배어 웨이퍼 상에 형성된 디펙트 분석방법 (DEFECT ANALYSING METHOD OF BARE WAFER)

삼성전자 주식회사

한국

10-0251644-0000

10

1999.11.24

반도체 웨이퍼의 제조방법 (METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR WAFER)

삼성전자 주식회사

한국

10-0244920-0000

9

1999.11.24

반도체 웨이퍼 디펙트 분석방법 (ANALYSIS METHOD FOR A WAFER DEFECT)

삼성전자 주식회사

한국

10-0244916-0000

8

1999.11.09

METHODS OF TREATING CRYSTAL-GROWN WAFERS FOR SURFACE DEFECT ANALYSIS

삼성전자 주식회사

미국

5,980,720 B1

7

1999.10.25

반도체 웨이퍼 열처리방법 및 이에 따라 형성된 반도체 웨이퍼 (Method of heat-treating semiconductor wafers and semiconductor wafers therewith)

삼성전자 주식회사

한국

10-0240023-0000

6

1999.10.11

웨이퍼의 결함 분석방법 (DEFECT ANALYSING METHOD FOR WAFER)

삼성전자 주식회사

한국

10-0237829-0000

5

1999.08.31

METHODS OF HEATING-TREATING SEMICONDUCTOR WAFERS

삼성전자 주식회사

미국

5,944,889 B1

4

1999.01.19

동데코레이션 장치 및 동 데코레이팅 방법 (A APPARATUS FOR Cu DECORATION AND DECORATING METHOD)

삼성전자 주식회사

한국

10-0189994-0000

3

1998.09.16

반도체 장치의 결함 분석방법 (DEFECT ANALYSIS METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE)

삼성전자 주식회사

한국

10-0165332-0000

2

1993.03.08

초기 웨이퍼의 전 고온 열처리 방법 (HIGH TEMPERATURE ANNEALING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE)

삼성전자 주식회사

한국

10-0060088-0000

1

1990.03.02

반도체 웨이퍼의 초기 산소농도 (OXYGEN CONCENTRATION METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER )

삼성전자 주식회사

한국

10-0031977-0000

 

Recent Update: FEB. 27, 2019